R6S08整流桥堆 桥堆

● 超低反向漏电电流 ir＜2μa(ta=125℃)
● 封装厚度薄 （1.2mm）
● esd 击穿电压高 （＞12kv，hbm model）
● 无铅封装
● 耐焊接温度高：260℃/10s（回流焊）
350℃/3s（手工焊）

本产品的工作温度范围为105（℃），功耗是10，批号为2012+，材料是锗(Ge)，是否进口为否，针脚数是4，型号为R6S08-H，产品类型是桥堆，品牌为华晶微，封装是TO-252，